د ټوټو، متوسط او ښه SiC ذراتو لپاره فورمول باید 5: 1: 4 وي. تور SiC عموما د سیلیکون کاربایډ خښتو جوړولو لپاره د خامو موادو په توګه غوره کیږي؛ کیمیاوي جوړښت یې په لاندې ډول دی: SiC 98.0%، وړیا C 0.5%، Fe 0.2%، او وړیا SiO₂ 0.6%. د تولید پروسې د تړلو میتود پورې اړه لري توپیر لري. د مختلف اړیکو میتودونو لپاره د پروسو لنډیز په لاندې ډول دي:
(1) سیلیکون نایټریډ- تړل شوي سیلیکون کاربایډ خښتې: شنه بدنونه چې له وړو، متوسط او ښایسته SiC ذراتو څخه جوړ شوي او د سیلیکون پوډر په خالص N₂ اتموسفیر کې په 1370 درجو کې ویشل کیږي. دا د -SiC کنکال او - او -Si₃N₄ میټرکس سره خښته تولیدوي. د پاتې سیلیکون او SiO₂ لږ مقدار په میټریکس کې پاتې کیږي؛ د دې اجزاو نسبي مینځپانګه د تولید کونکي لخوا توپیر لري.
(2) د سیلیکون کاربایډ خښتې: SiC، سیلیکون پاؤډر، او کاربن پوډر د یو ځانګړي تناسب سره مخلوط شوي او جوړ شوي، بیا په 1400 درجو کې په کمولو فضا کې ویشل کیږي. په ډیری حاالتو کې، ډزې په کاربن کې ښخ شوي خښتو سره ترسره کیږي. د ډزو په جریان کې، یوه خښته د -SiC کنکال او یو ښه-دانه -SiC میټرکس سره تولیدیږي. -SiC د ډزو په وخت کې د ښه کاربن پوډر سره د ښه سیلیکون پوډر د عکس العمل له لارې رامینځته کیږي؛ دا محصول په لږ مقدار کې پاتې سیلیکون او کاربن هم لري.
(3) سیلیکون اکسینایټریډ - تړل شوي سیلیکون کاربایډ خښتې: کله چې د دې خښتو لپاره بسته چمتو کول، د ښه سیلیکون پوډر تناسب د سیلیکون کاربایډ په پرتله کم دی.